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IPS愛譜斯(中國)有限公司將參加于8月10日至13日在內(nèi)蒙古呼和浩特市舉辦的“納米多孔材料前沿發(fā)展論壇”。本次論壇匯聚國內(nèi)外頂尖學(xué)者、行業(yè)專家及企業(yè)代表,共同探討納米多孔材料的最新科研成果、技術(shù)突破及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用前景。展會(huì)信息時(shí)間:2025年8月10日-13日地點(diǎn):中國·呼和浩特...
高通量液壓式電解水測試池是用于高效評(píng)估電解水制氫(析氫/析氧)性能的核心設(shè)備,其操作需兼顧效率與安全性。以下為快速上手的關(guān)鍵步驟與規(guī)范流程。一、操作前準(zhǔn)備:1.設(shè)備檢查:確認(rèn)測試池主體無機(jī)械損傷(如極板變形、密封圈老化),液壓管路無泄漏,電源線與控制模塊連接穩(wěn)固;檢查電解液儲(chǔ)量≥測試需求,氣體收集裝置(如集氣袋/在線傳感器)安裝到位。2.參數(shù)預(yù)設(shè):根據(jù)實(shí)驗(yàn)?zāi)繕?biāo)設(shè)定液壓驅(qū)動(dòng)壓力、電解液流速、電流密度范圍(如0.5-2A/cm2,匹配催化劑活性)。通過控制面板輸入初始參數(shù)(如溫度...
氣壓式燃料電池測試池作為氫燃料電池性能檢測的關(guān)鍵設(shè)備,其設(shè)計(jì)需滿足ISO、GB等多領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn),且需通過定期校準(zhǔn)保障數(shù)據(jù)可靠性。以下從合規(guī)性設(shè)計(jì)要點(diǎn)與系統(tǒng)化校準(zhǔn)流程兩方面,詳解設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的核心保障措施。?一、合規(guī)性設(shè)計(jì):錨定標(biāo)準(zhǔn),筑牢安全與精度基礎(chǔ)?1.壓力控制與氣路設(shè)計(jì)合規(guī)?需符合ISO14687-2氫氣品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)及GB/T35178燃料電池測試系統(tǒng)技術(shù)要求:氣路采用316L不銹鋼材質(zhì)(耐受0.1-10MPa壓力,適配不同功率燃料電池堆),且設(shè)置三級(jí)壓力保護(hù)——一級(jí)減壓閥將氫氣...
可逆氫參比電極RHE是電化學(xué)研究中精準(zhǔn)測量電極電勢的核心工具,廣泛應(yīng)用于燃料電池、電解水、腐蝕科學(xué)等領(lǐng)域。掌握其快速上手方法,能幫助研究者高效開展實(shí)驗(yàn)。一、核心優(yōu)勢:為何選擇RHE?與傳統(tǒng)甘汞電極(SCE)、銀/氯化銀電極(Ag/AgCl)不同,RHE的電勢隨溶液pH值動(dòng)態(tài)變化,其理論電勢公式為E_}=0,text-0.0591timestext(25℃),即在特定pH溶液中,RHE的電勢始終與氫離子還原反應(yīng)(2H^++2e^-rightar...
RRDE旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極是研究電化學(xué)反應(yīng)機(jī)理的重要工具,新手掌握其裝置搭建與操作技巧,能為后續(xù)實(shí)驗(yàn)奠定基礎(chǔ)。裝置搭建需按模塊逐步進(jìn)行。核心部件包括旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極本體、轉(zhuǎn)速控制器、電化學(xué)工作站及電解池。首先,將旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極本體與轉(zhuǎn)速控制器連接,確保線路接觸良好,轉(zhuǎn)速控制器可調(diào)節(jié)電極旋轉(zhuǎn)速度,滿足不同實(shí)驗(yàn)需求。接著,把電極本體的信號(hào)輸出端與電化學(xué)工作站的對(duì)應(yīng)接口相連,工作站用于施加電位和采集電流信號(hào)。較后,組裝電解池,加入適量電解液,將旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極插入電解池,注意電極頂部需全部浸沒在電...
EQCM石英晶體微天平作為微量質(zhì)量檢測的核心設(shè)備,其選型需圍繞核心性能指標(biāo)與實(shí)際應(yīng)用需求綜合判斷,以下從關(guān)鍵維度梳理選型要點(diǎn),助力精準(zhǔn)選購。?一、核心性能:聚焦頻率穩(wěn)定性與檢測精度?1.頻率穩(wěn)定性:選型基礎(chǔ)指標(biāo)?頻率穩(wěn)定性直接影響檢測重復(fù)性,需優(yōu)先關(guān)注。選購時(shí)需確認(rèn)設(shè)備基線漂移范圍(優(yōu)質(zhì)設(shè)備通常≤0.1Hz/h),同時(shí)查看晶體振蕩器類型——采用恒溫控制的高精度振蕩器(如OCXO恒溫晶振),可減少環(huán)境溫度波動(dòng)對(duì)頻率的干擾;此外,需核對(duì)晶體片參數(shù),10MHz或15MHz高頻晶體片...